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  东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心,为中国国内首家专业生产氮化镓(GaN)衬底材料的企业。

  企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,引进国内外优秀的技术及管理团队, 2010年获建博士后工作站,截至2016年有院士1人,教授级别人员共6人,博士13人,硕士22人,拥有先进的技术及管理优势。


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